BCM856DS,115, Транзистор: PNP x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062469067
- Артикул
- BCM856DS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 3.1 mm (Max)
- Высота
- 1 mm (Max)
- Ширина
- 1.7 mm (Max)
Цена по запросу
(от 30,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.1 mm (Max) |
| Высота | 1 mm (Max) |
| Ширина | 1.7 mm (Max) |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |