BCM856DS,115, Транзистор: PNP x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049089945
- Артикул
- BCM856DS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SC74, SOT457, TSOP6
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
Технические параметры
| Case | SC74, SOT457, TSOP6 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 175MHz |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.1 mm (Max) |
| Power - Max | 380mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Current gain | 200…450 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | bipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm (Max) |
| Ширина | 1.7 mm (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.25W |
| Type of transistor | PNP x2 |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | BCM856 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 65V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |