BCM847DS,115, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070085648
- Артикул
- BCM847DS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SC74, SOT457, TSOP6
- Type
- NPN
- Package
- 6TSOP
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 36,66 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR
Технические параметры
| Case | SC74, SOT457, TSOP6 |
| Type | NPN |
| Package | 6TSOP |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| Frequency | 250MHz |
| Packaging | Tape & Reel |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 3.1 mm |
| Current gain | 200…450 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | SOT-457(SC-74) |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.38W |
| Type of transistor | NPN x2 |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65 to 150 ?C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 380mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Current Mirror |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.2@0.5mA@10mA|0.4@5mA@100mA V |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Другие названия товара № | 934059058135 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA, 5mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |