BCM847BS-7,Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046336143
- Артикул
- BCM847BS-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Структура
- npn
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 905 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |