Моя заявка (0)

BCM846BSX, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW

BCM846BSX, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8208482099
Артикул
BCM846BSX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.05
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 115 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN/NPN Matched Double Transistor

Технические параметры

Вес, г0.05
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)250MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTSSOP-6
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@2mA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)65V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Другие названия товара №934069545115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@500µA, 10mA
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация