Моя заявка (0)
BCM846BSX, Транзистор: NPN x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070128395
Артикул
BCM846BSX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.02
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 45,76 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN/NPN Matched Double Transistor

Технические параметры

Вес, г0.02
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)250MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTSSOP-6
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@2mA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)65V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Другие названия товара №934069545115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@500µA, 10mA
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация