Моя заявка (0)
BCM56DSX, Bipolar Transistors - BJT BCM56DS/SOT457/SC-74

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004727424
Артикул
BCM56DSX
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Power - Max
500mW
Цена по запросу
(от 37,95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярная (BJT) транзисторная матрица с 2 NPN (двойной) согласованной парой 80 В 1 А 155 МГц 500 МВт для поверxностного монтажа 6-TSOP

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Power - Max500mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TSOP-6
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Dual
Package / CaseSC-74, SOT-457
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934070952115
Transistor Type2 NPN(Dual)Matched Pair
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature150°C(TJ)
Frequency - Transition155MHz
Pd - Power Dissipation:400 mW
Supplier Device Package6-TSOP
DC Current Gain hFE Max:250
Gain Bandwidth Product fT:155 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:63
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация