Моя заявка (0)

BCM56DSF, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 80 V, 1 A, 400 mW

BCM56DSF, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 80 V, 1 A, 400 mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001504315
Артикул
BCM56DSF
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.08
Структура
npn
Power Dissipation NPN
400мВт
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 135 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BCM56DS SC-74

Технические параметры

Вес, г0.08
Структураnpn
Power Dissipation NPN400мВт
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transition Frequency NPN155МГц
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
DC Current Gain hFE Min NPN63hFE
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTSOP-6
DC Ток Коллектора1А
Continuous Collector Current NPN1А
DC Усиление Тока hFE0.95hFE
Collector Emitter Voltage Max NPN80В
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Рассеиваемая Мощность400мВт
Полярность ТранзистораДвойной NPN
Pd - рассеивание мощности320 mW
Размер фабричной упаковки10000
Стиль Корпуса ТранзистораTSOP
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)155 MHz

Техническая документация