BC869,115, Транзистор: PNP, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654689
- Артикул
- BC869,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.08
- Длина
- 4.6 mm
- Package Type
- SOT-89
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный PNP BC869,115 от производителя NEXPERIA - это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT89. Данный транзистор предназначен для работы с током коллектора до 1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 25 В, обладая при этом мощностью 1 Вт. Идеален для использования в различных областях применения, где требуется надежное и эффективное управление электрическими сигналами. Модель BC869115 отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает ее предпочтительным выбором среди специалистов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 25 Мощность, Вт 1 Корпус SOT89
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.08 |
| Длина | 4.6 mm |
| Package Type | SOT-89 |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W |
| Minimum DC Current Gain | 50 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -32 V |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Другие названия товара № | 933678780115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 at 5 mA, 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 85 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |