Моя заявка (0)

BC868,115, Транзистор: NPN, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89

BC868,115, Транзистор: NPN, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654273
Артикул
BC868,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 15,10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный NPN BC868,115 от производителя NEXPERIA выделяется своими характеристиками для монтажа типа SMD. С током коллектора до 1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 25 В, он идеально подходит для широкого спектра областей применения, обеспечивая мощность до 1 Вт. Компактный корпус SOT89 делает его удобным для использования в различных электронных устройствах. Код товара BC868115 без лишних символов подчеркивает уникальность данного компонента в каталоге продукции NEXPERIA, подтверждая его высокое качество и надежность для специалистов и любителей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 25 Мощность, Вт 1 Корпус SOT89

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.07
Длина4.6 mm
Power - Max1.2W
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-89
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.6 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.6 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-243AA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberBC868 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition170MHz
Pd - Power Dissipation1.2W
Minimum DC Current Gain50
Supplier Device PackageSOT-89
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.35 W
Maximum Operating Frequency170 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-89-3
Maximum DC Collector Current1A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Maximum Collector Base Voltage32 V
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage20V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce85 @ 500mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)20V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Другие названия товара №933678770115
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50 at 5 mA, 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 5 mA, 10 V, 85 at 500 mA, 1 V, 60 at 1 A,
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В20
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)60 MHz

Техническая документация