BC860C,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716295
- Артикул
- BC860C
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- PNP
- Assembly
- SMD
- Category
- Bipolar Small Signal
- Enclosure
- SOT-23
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор PNP BC860C от производителя DIOTEC представляет собой высококачественный компонент для SMD монтажа. Обладая током коллектора 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер 50 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 0,25 Вт. Размещенный в компактном корпусе SOT23, BC860C является идеальным выбором для разнообразных областей применения, где требуется надежное управление током в миниатюрных устройствах. Использование модели BC860C в вашем проекте гарантирует высокую производительность и долговечность компонента. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100 MHz |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Unknown |
| Вес, г | 2.747 |
| Min DC gain | 420 mA |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | -100 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Military Qualified | No |
| Saturation voltage | -650 mV |
| Структура | pnp |
| Max DC amplification | 800 mA |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Minimum DC Current Gain | 420@2mA@5V |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 50 |
| Maximum Operating Temperature - (?C) | 150 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 100(Min) |
| Minimum Operating Temperature - (?C) | -55 |
| Maximum Collector Emitter Voltage - (V) | 45 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -50 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -45 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |