Моя заявка (0)
BC859CW,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8700898376
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
2.2 mm
Package Type
UMT
Цена по запросу
(от 13,65 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина2.2 mm
Package TypeUMT
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain420
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSC-70-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934024320115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.420 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация