Моя заявка (0)
BC859C,235, Bipolar Transistors - BJT BC859C/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006221067
Артикул
BC859C,235
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Вес, г
0.01
Длина
3 mm
Power - Max
250 mW
Цена по запросу
(от 12,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS LOW NOISE

Технические параметры

GradeAutomotive
Вес, г0.01
Длина3 mm
Power - Max250 mW
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Operating Temperature150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №/T3 BC859C
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.420 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация