BC859C,215, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650496
- Артикул
- BC859C,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 3,27 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Manufacturer | Nexperia |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | /T3 BC859C |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 420 at 2 mA at 5 V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 933628690215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 420 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |