Моя заявка (0)

BC858CLT3G, 30V 300mW 420@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

BC858CLT3G, 30V 300mW 420@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037111421
Артикул
BC858CLT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Длина
2.9 mm
Серия
BC858CL
Цена по запросу
(от 8,89 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.03
Длина2.9 mm
СерияBC858CL
Package TypeSOT-23
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain420
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Emitter Voltage-30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.65 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация