BC858CLT3G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368664
- Артикул
- BC858CLT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BC858CL
Цена по запросу
(от 8,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC858CL |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |