BC858CDXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651359
- Артикул
- BC858CDXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Серия:
- bc858cdxv6
- Структура
- pnp
- Технология:
- si
Цена по запросу
(от 16,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия: | bc858cdxv6 |
| Структура | pnp |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Тип продукта: | bjts-bipolar transistors |
| Конфигурация: | dual |
| Подкатегория: | transistors |
| Производитель: | onsemi |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | sot-563-6 |
| Категория продукта: | биполярные транзисторы-bjt |
| Полярность транзистора: | pnp |
| Pd - рассеивание мощности: | 357 mw |
| Размер фабричной упаковки: | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 v |
| Непрерывный коллекторный ток: | -0.1 a |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | -30 v |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | -30 v |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 a |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | -0.65 v |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 420 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 mhz |