BC858BLT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017529561
- Артикул
- BC858BLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BC858BL
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC858BL |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 225мВт |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Линейка Продукции | BCxxx |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |