Моя заявка (0)
BC858BHZGT116, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070221255
Артикул
BC858BHZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
0.1
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
350мВт
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 21,48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Вес, г0.1
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation350мВт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current100мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)210@2mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max30В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE210hFE
Частота Перехода ft250МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №BC858BHZG
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)650mV@100mA, 5mA
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.480
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация