BC858BHZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000019367
- Артикул
- BC858BHZGT116
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.002
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 350мВт
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот продукт доступен для оценки и проектирования. При желании одобрения этого устройства, пожалуйста, свяжитесь с местным представительством ROHM.
Технические параметры
| Вес, г | 0.002 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 210@2mA, 5V |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 210hFE |
| Частота Перехода ft | 250МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Другие названия товара № | BC858BHZG |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA, 5mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |