BC858B-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062282662
- Артикул
- BC858B-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- BC858
Цена по запросу
(от 20,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | BC858 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at -2 mA, - 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |