Моя заявка (0)

Diodes Inc BC858B-7-F PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 3-Pin SOT-23

Diodes Inc BC858B-7-F PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8020644102
Артикул
BC858B-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
3.05 mm
Серия
BC858
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина3.05 mm
СерияBC858
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain220
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation350 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-30 V
Maximum Collector Emitter Voltage-30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности300 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at -2 mA, - 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация