BC858B,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8296278822
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Family
- Transistors-Bipolar(BJT)-Single
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 18,12 ₽)
Минимальный заказ: 19 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.25Вт
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Standard Package | 1 |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | BC858 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 933589790215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 220 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA, 5 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA, 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 30 |