BC858ALT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007268366
- Артикул
- BC858ALT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- PNP
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- BC858AL
Цена по запросу
(от 10,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | BC858AL |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC858AL |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| Minimum DC Current Gain | 125@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
| Continuous Collector Current | -0.1 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 125 |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -65 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.65 V |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |