Моя заявка (0)

BC857W,135, 15nA 45V 200mW 125@2mA,5V 100mA 100MHz 250mV@100mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT

BC857W,135, 15nA 45V 200mW 125@2mA,5V 100mA 100MHz 250mV@100mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062282527
Артикул
BC857W,135
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.03
Длина
2.2 mm
Высота
1 mm
Корпус
sot-323
Цена по запросу
(от 10,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина2.2 mm
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934021830135
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.125 at 2 mA, 5 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация