Моя заявка (0)

BC857W,115, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

BC857W,115, Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652713
Артикул
BC857W,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.02
Длина
2.2 mm
Высота
1 mm
Корпус
sot-323
Цена по запросу
(от 10,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина2.2 mm
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current100mA
кол-во в упаковке3000
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934021830115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.125 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация