BC857SH6327XTSA1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070073569
- Артикул
- BC857SH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 30,40 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BC857 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | LTB |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.25 |
| Package Height | 0.9(Max) |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-363 |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-26 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 250(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BC 857S H6327 SP000747456 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |