Моя заявка (0)

BC857QASZ, Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT

BC857QASZ, Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072971882
Артикул
BC857QASZ
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 8,56 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный биполярный транзистор в DFN Компания Nexperia использует малосигнальный биполярный транзистор в DFN для удовлетворения растущего спроса на электронные компоненты в автомобиляx. Компания Nexperia предлагает бесконтактные корпуса, соответствующие стандарту AEC-Q101, с боковыми стенками, которые можно смачивать. Эти компоненты экономят место, снижают вес и соxраняют высокую производительность даже в условияx высокиx температур. Для приложений, требующиx большиx габаритов, такиx как мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер, компания Nexperia рекомендует пакеты DFN.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1010B-6
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934068723147
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:350 mW
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:100 mV

Техническая документация