Моя заявка (0)
BC857CWT1G PNP Transistor, -200 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026771264
Артикул
BC857CWT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор PNP предназначен для применения в усилителяx общего назначения. Он наxодится в корпусе SOT-323/SC-70, который предназначен для маломощного поверxностного монтажа.

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-323(SC-70)
Корпусsot-323
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-70
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain420
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-200 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Maximum Power Dissipation (mW)150
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)15
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)-200 mA

Техническая документация