Моя заявка (0)

BC857CW,135, Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT

BC857CW,135, Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8045757147
Артикул
BC857CW,135
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.7
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы PNP SOT-323-3 на 45 В 200 МВт, 420 В 2 мА, 5 В 100 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.7
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934021860135
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Collector Current (Ic)100mA
Factory Pack Quantity:10000
Power Dissipation (Pd)200mW
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:420 at 2 mA, 5 V
Transition Frequency (fT)100MHz
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)420@2mA, 5V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:420 at 2 mA, 5 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@5mA, 100mA

Техническая документация