BC857CLT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065577315
- Артикул
- BC857CLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |