BC857CE6327, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 0,33Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002614993
- Артикул
- BC857CE6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.06
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BC857
- Высота
- 1 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC857CE6327 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный компонент для SMD монтажа. С типом PNP и корпусом SOT23, этот транзистор способен выдерживать ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, обеспечивая мощность до 0,33 Вт. Идеален для использования в различных электронных устройствах, где требуется надежность и долговечность. Модель BC857CE6327 обладает превосходными характеристиками, что делает её предпочтительным выбором для широкого спектра областей применения, от автоматизации до потребительской электроники. Его компактный размер и эффективность делают его идеальным для интеграции в разнообразные проекты. Обратите внимание на код продукта BC857CE6327 для удобства заказа и консультации. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.33 Корпус SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC857 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Другие названия товара № | BC857CE6327HTSA1 BC857CE6327XT SP000010640 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |