Моя заявка (0)

BC857C_R1_00001, 15nA 45V 330mW 520@2mA,5V 100mA 200MHz 650mV@100mA,5mA PNP -50-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

BC857C_R1_00001, 15nA 45V 330mW 520@2mA,5V 100mA 200MHz 650mV@100mA,5mA PNP -50-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062282651
Артикул
BC857C_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Packaging
Reel
Вес, г
0.03
Power - Max
330 mW
Product Type
BJTs-Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 45 В 100 мА 200 МГц 330 МВт для поверxностного монтажа SOT-23

Технические параметры

PackagingReel
Вес, г0.03
Power - Max330 mW
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Структураpnp
Operating Temperature-50°C ~ 150°C(TJ)
Collector Current (Ic)100mA
Frequency - Transition200MHz
Power Dissipation (Pd)330mW
Supplier Device PackageSOT-23
Transition Frequency (fT)200MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)420@2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)15nA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)650mV@100mA, 5mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200

Техническая документация