Моя заявка (0)

BC857C-7-F, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

BC857C-7-F, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001172853
Артикул
BC857C-7-F
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Вид
PNP
Тип
биполярный
Цена по запросу
(от 7,50 ₽)
Минимальный заказ: 2900 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
ВидPNP
Типбиполярный
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г1
Power - Max300mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Структураpnp
Base Product NumberBC857 ->
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Frequency - Transition200MHz
Minimum DC Current Gain420
Supplier Device PackageSOT-23-3
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Maximum Operating Frequency200 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Current - Collector Cutoff (Max)15nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация