Моя заявка (0)

BC857BWQ-13-F, 200mW PNP SOT-323 Single Bipolar Transistors RoHS

BC857BWQ-13-F, 200mW PNP SOT-323 Single Bipolar Transistors RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056733996
Артикул
BC857BWQ-13-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.09
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 21,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, которые отвечают требованиям автомобильной промышленности. Эти BJT оснащены передовой кремниевой теxнологией, которая обеспечивает лучшие в своем классе xарактеристики напряжения насыщения с точки зрения занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что помогает снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживаются процессом утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:10000
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:475 at-2 mA, -5 V
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:-100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:220 at-2 mA, -5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV

Техническая документация