Моя заявка (0)

BC857BW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный

BC857BW-7-F, Транзистор: PNP; биполярный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017546578
Артикул
BC857BW-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Длина
2.2 mm
Серия
BC857B
Цена по запросу
(от 7,80 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.02
Длина2.2 mm
СерияBC857B
Package TypeSOT-323(SC-70)
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation200mW
Minimum DC Current Gain220
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency200 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at -2 mA, - 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация