Моя заявка (0)

BC857BW,115, биполярные транзисторы малосигнальные Nexperia

BC857BW,115, биполярные транзисторы малосигнальные Nexperia

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038690344
Артикул
BC857BW,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Вид
PNP
Цена по запросу
(от 5 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
ВидPNP
Типбиполярный
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.04
Длина2.2 mm
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypePNP
Base Product NumberBC857 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation200mW
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №BC857BW T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.220 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация