BC857BW,115, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649868
- Артикул
- BC857BW,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Вид
- PNP
Цена по запросу
(от 5,30 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.2 mm |
| Power - Max | 200mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | BC857 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | BC857BW T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |