Моя заявка (0)

BC857BU3T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

BC857BU3T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001715845
Артикул
BC857BU3T106
Бренд
Rohm
Вес, г
0.5
Корпус
sot-323
Power Dissipation
200мВт
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Вес, г0.5
Корпусsot-323
Power Dissipation200мВт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min210hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE210hFE
Частота Перехода ft250МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.480
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация