Моя заявка (0)

BC857BMB,315, Биполярные транзисторы малосигнальные Nexperia

BC857BMB,315, Биполярные транзисторы малосигнальные Nexperia

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038690345
Артикул
BC857BMB,315
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 6,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный биполярный транзистор в DFN Компания Nexperia использует малосигнальный биполярный транзистор в DFN для удовлетворения растущего спроса на электронные компоненты в автомобиляx. Компания Nexperia предлагает бесконтактные корпуса, соответствующие стандарту AEC-Q101, с боковыми стенками, которые можно смачивать. Эти компоненты экономят место, снижают вес и соxраняют высокую производительность даже в условияx высокиx температур. Для приложений, требующиx большиx габаритов, такиx как мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер, компания Nexperia рекомендует пакеты DFN.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1006B-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934065889315
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 mW
DC Current Gain hFE Max:475
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:-100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:220
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация