Моя заявка (0)

BC857BLT3G, 45V 300mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

BC857BLT3G, 45V 300mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025032719
Артикул
BC857BLT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Длина
2.9 mm
Серия
BC857BL
Высота
0.94 mm
Цена по запросу
(от 3,92 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V PNP

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина2.9 mm
СерияBC857BL
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.65 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация