Моя заявка (0)

BC857BLP4-7B, 45V 1W 220@2.0mA,5.0V 100mA PNP DFN-3(1x0.6) BIpolar (BJT) ROHS

BC857BLP4-7B, 45V 1W 220@2.0mA,5.0V 100mA PNP DFN-3(1x0.6) BIpolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044792860
Артикул
BC857BLP4-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
BC857B
Вес, г
0.02
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:BC857B
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN1006H4-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:400 mW
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:-100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:220 at-2 mA, -5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация