BC857BLP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066982952
- Артикул
- BC857BLP-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- BC857B
- Вес, г
- 9
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | BC857B |
| Вес, г | 9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN1006-3 |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| DC Current Gain hFE Min | 220hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Квалификация | - |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
| DC Усиление Тока hFE | 220hFE |
| Линейка Продукции | BC857 Series |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | X1-DFN1006 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |