BC857BLP-7, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016265887
- Артикул
- BC857BLP-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.001
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN1006-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |