BC857AW-7-F, 15nA 45V 200mW 180@2mA,5V 100mA 100MHz 250mV@100mA,5mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017625827
- Артикул
- BC857AW-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы PNP SOT-323-3 на 45 В 200 МВт, 125 В 2 мА, 5 В 100 мА - BJT ROHS
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | BC857A |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 mm |
| Package Length | 2.15 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-323 |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Minimum DC Current Gain | 125@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@2mA, 5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 200(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.95@5mA@100mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 5mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |