BC857AM,315, Bipolar Transistors - BJT BC857AM/SOT883/XQFN3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065643580
- Артикул
- BC857AM,315
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1.02 mm
- Power - Max
- 150 mW
- Высота
- 0.47 mm
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.02 mm |
| Power - Max | 150 mW |
| Высота | 0.47 mm |
| Ширина | 0.62 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Transistor Type | PNP |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN1006-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 430 mW |
| Другие названия товара № | 934057146315 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 125 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |