BC856W,115, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038865399
- Артикул
- BC856W,115
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
- Transistor Polarity
- PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 14019 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
15nA 65 В 200 МВт 125 при 2 мА,5 В 100 мА 100 МГц 250 мВ при 100 мА,5 мА PNP +150°C@ (Tj) Биполярные транзисторы SOT-323-3 - BJT
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@2mA, 5V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |