BC856SH6327XTSA1, Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 65 V, 100 mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014286434
- Артикул
- BC856SH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.004
- Серия
- BC856
- Package Type
- SOT-363(SC-88)
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.004 |
| Серия | BC856 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 856S BC BC856SH6327XT H6327 SP000747446 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |