Моя заявка (0)

BC856BW_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE-65V IC-100mA SOT-323

BC856BW_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE-65V IC-100mA SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018633458
Артикул
BC856BW_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Вес, г
0.05
Power - Max
250 mW
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 11,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 65 В 100 мА 200 МГц 250 МВт для поверxностного монтажа SOT-323

Технические параметры

Brand:Panjit
Вес, г0.05
Power - Max250 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:Panjit
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseSC-70, SOT-323
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Frequency - Transition200MHz
Pd - Power Dissipation:250 mW
Supplier Device PackageSOT-323
DC Current Gain hFE Max:450
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:650 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65 V

Техническая документация