Моя заявка (0)

BC856BW-AU_R1_000A1, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE-65V IC-100mA SOT-323 AEC-Q101 Qualified

BC856BW-AU_R1_000A1, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE-65V IC-100mA SOT-323 AEC-Q101 Qualified

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067760331
Артикул
BC856BW-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
I(C)
0.1 A
Grade
Automotive
Brand:
Panjit
P(tot)
0.33 W
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 65 В 100 мА 200 МГц 250 МВт для поверxностного монтажа SOT-323

Технические параметры

I(C)0.1 A
GradeAutomotive
Brand:Panjit
P(tot)0.33 W
V(CBO)80 V
V(CEO)65 V
PackageSOT323
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
Вес, г0.01
Power - Max250 mW
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Current gain290
PolarisationPNP
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Panjit
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseSC-70, SOT-323
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Frequency - Transition200MHz
Pd - Power Dissipation:250 mW
Supplier Device PackageSOT-323
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:650 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65 V

Техническая документация